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進口二維半導體單晶 >100mg-六方氮化硼晶體h-BN
 
100mg-六方氮化硼晶體h-BN
 
貨號: 100740202 規格: 0.3-0.6 mm 價格: 詢價
CAS號: 10043-11-5
編號: MK89302
包裝: 原包裝進口
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樣品名稱                           六方氮化硼h-BN單晶
 性質

絕緣體

結構:Hexagonal

 帶隙 禁帶寬度:~5.9 eV
 參數

純度:99.99%

尺寸:0.3-0.6 mm

包裝:100 mg

顏色: 白色透明

 應用 半導體電子器件,微型電容器介電層,光學器件,絕緣導熱襯底等研究
 其他信息

詳情請發郵件至:[email protected]

合成h-BN晶體照片:


包裝照片:


光學顯微鏡照片:



Raman光譜:


Product Description:

Synthetic hexagonal boron nitride (hBN) single-crystals  with single-crystal domains exceeding 500 micrometers,  offered in two grades.

Grade A: Millimetre-sized crystals with domain sizes exceeding 0.5mm. More than 20 transparent crystals in a clear glass bottle.

Hexagonal boron nitride has emergent as an important candidate for use in graphene research. In two dimensional form, relatively thick flakes (>20nm) of hBN serve as a high quality substrate enabling graphene to reach its theoretical mobility values, which exceeds one hundred thousand centimetre squared per volt second. Thinner flakes (<5nm) can serve as a separator between two graphene layers in order to study interesting mesoscopic phenomena. For example, electron tunneling and coulomb drag include two of the interesting phenomena observed in such systems.

Our hexagonal boron nitride is of the highest purity enabling the its use for such research. The atomically thin flakes prepared by mechanical exfoliation of our flakes show large dimensions (>100um) and atomically flat terraces, an imperative requirement for use in this research field, as shown in the example pictures above. The sharp peak in Raman spectrum is a further testament to the purity of our hBN.

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